上海伯東代理美國 進口 KRI 射頻離子源 RFICP 140 是一款緊湊的有柵極離子源, 非常適用于離子束濺射沉積, 離子輔助沉積和離子束刻蝕. 在離子束濺射工藝中，射頻離子源 RFICP 140 配有離子光學元件, 可以很好的控制離子束去濺射靶材, 實現 的薄膜特性.
KRI 射頻離子源 RFICP 140
上海伯東代理美國 進口 KRI 射頻離子源 RFICP 140 是一款緊湊的有柵極離子源, 非常適用于離子束濺射沉積, 離子輔助沉積和離子束刻蝕. 在離子束濺射工藝中，射頻離子源 RFICP 140 配有離子光學元件, 可以很好的控制離子束去濺射靶材, 實現 薄膜特性. 同樣的在離子束輔助沉積和離子束刻蝕工藝中, 最 的離子光學元件能夠完成發散和聚集離子束的任務. 就標準的型號而言, 可以在離子能量為 100~1000 eV 范圍內獲得很高的離子密度. 可以輸出最da600 mA 離子流
KRI 射頻離子源 RFICP 140 技術參數:
型號 | RFICP 140 |
Discharge 陽極 | RF 射頻 |
離子束流 | 最da 600 mA |
離子動能 | 100-1200 V |
柵極直徑 | 14 cm Φ |
離子束 | 聚焦, 平行, 散射 |
流量 | 5-30 sccm |
通氣 | Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他 |
典型壓力 | < 0.5m Torr |
長度 | 24.6 cm |
直徑 | 24.6 cm |
中和器 | LFN 2000 |
KRI 射頻離子源 RFICP 140 應用領域：
預清洗
表面改性
輔助鍍膜(光學鍍膜)IBAD,
濺鍍和蒸發鍍膜 PC
離子濺射沉積和多層結構 IBSD
離子蝕刻 IBE
1978 年 Dr. Kaufman 博士在美國創立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研發生產考夫曼離子源, 霍爾離子源和射頻離子源. 美國考夫曼離子源歷經 40 年改良及發展已取得多項 . 離子源廣泛用于離子清洗 PC, 離子蝕刻 IBE, 輔助鍍膜 IBAD, 離子濺射鍍膜 IBSD 領域, 上海伯東是美國考夫曼離子源中國總代理.
若您需要進一步的了解 KRI 射頻離子源, 請參考以下聯絡方式
上海伯東: 羅先生 中國臺灣伯東: 王小姐
*您想獲取產品的資料：
個人信息：
